云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 形艳辉

形艳辉: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>; 发文主题：垂直腔面发射激光器MOCVDVCSEL监测技术更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>

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MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用: 《固体电子学研究与进展》2004年第4期535-538,共4页俞波邓军韩军盖红星牛南辉形艳辉廉鹏郭霞渠宏伟沈光地; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60276033);国家"863"高技术计划资助项目(批准号:2002AA312070);国家"973"计划资助项目(批准号:G2000068302);北京工业大学研究生科技基金项目(批准号:YKJ200338); 使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件...; 关键词：金属有机化合物汽相淀积垂直腔面发射激光器分布式Bragg反射