PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应  

Radiation effects of PMOSFET irradiated by pulse X-ray

作　　者：靳涛[1] 杨志安[2] 杨祖慎[2] 姚育娟[3] 罗伊虹[3] 

机构地区：[1]中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011 [2]新疆大学物理系,乌鲁木齐830004 [3]西北核技术研究所,西安710024

出　　处：《核技术》2005年第2期105-108,共4页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金项目(批准号:69866001)资助

摘　　要：根据 P 沟道金属氧化物场效应晶体管 (PMOSFET) 在低能脉冲 X 射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET 实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。The PMOSFET was irradiated by low energy pulse X-rays and its threshold voltage was continuously measured. Based on the experimental results and the structure of PMOSFET, mechanism of the threshold shift was discussed.

关 键 词：脉冲X射线 场效应晶体管 辐射效应 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]