罗伊虹

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PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应
《核技术》2005年第2期105-108,共4页靳涛 杨志安 杨祖慎 姚育娟 罗伊虹 
国家自然科学基金项目(批准号:69866001)资助
根据 P 沟道金属氧化物场效应晶体管 (PMOSFET) 在低能脉冲 X 射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET 实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。
关键词：脉冲X射线 场效应晶体管 辐射效应 
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