用于VLSI的新型介质膜电荷特性的测试研究  

Study of Charge Characteristics of New Dielectric Film for VLSI

作　　者：岑洁儒 陈蒲生[1] 丁雄[1] 何汉翔 

机构地区：[1]华南理工大学应用物理系,广州510641

出　　处：《固体电子学研究与进展》1993年第1期50-53,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助课题

摘　　要：介绍了采用高频C—V测试技术对快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性进行的测试研究及实验结果分析。分析表明,采用氮化后再氧化处理是减少快速热氮化的SiO_xN_y膜中固定电荷的有效途径。The charge characteristics of rapid thermal nitrided (RTN) SiOxNy film have been investigated by high frequency C-V measurement. The experi-mental result shows that nitrided reoxidization annealing is effective on reducing the fixed charge density of RTN SiOxNy film.

关 键 词：介质膜 固定电荷 离子 VLSI 测试 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]