丁雄

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：华南理工大学更多>>
发文主题：介质膜VLSI固定电荷离子电荷特性更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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用于VLSI的新型介质膜电荷特性的测试研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》1993年第1期50-53,共4页岑洁儒 陈蒲生 丁雄 何汉翔 
国家自然科学基金资助课题
介绍了采用高频C—V测试技术对快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性进行的测试研究及实验结果分析。分析表明,采用氮化后再氧化处理是减少快速热氮化的SiO_xN_y膜中固定电荷的有效途径。
关键词：介质膜 固定电荷 离子 VLSI 测试 
应用高频C-V仪测量快速热氨化的SiO_xN_y膜电荷特性实验中若干问题的探讨
《半导体技术》1993年第1期58-61,共4页岑洁儒 陈蒲生 丁雄 
国家自然科学基金资助课题
本文提出了采用高频C-V仪测量快速热氮化的SiO_xN_y膜中固定电荷密度、可动离子密度的实验中不容忽略的两个问题:记录仪信号转换不同步时带来的高频C-V特性曲线记录失真;介质膜经过快速热氮化处理后介电系数的变化在数据处理中引起的计...
关键词：介质膜 测量 C-V仪 热氮化 实验 
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