热氮化

作品数：23被引量：62H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：陈蒲生刘百勇霍开富熊大菁黄世平更多>>
相关机构：华南理工大学清华大学东京毅力科创株式会社武汉科技大学更多>>
相关期刊：《半导体杂志》《微电子学》《物理学报》《应用科学学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金香港裘槎基金中国科学院科学基金广东省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
铝热还原氮化微晶白云母的高温物相演变
《中国科技博览》2010年第14期44-45,共2页陈宣任 陈善华 李均甫 
以川西微晶白云母为原料，钒粉为还原剂，在氮气中合成刚玉-β-SiAlON材料。利用XRD研究试样在1350、1350和1550℃下保温4h后产物的物相变化，并利用粉晶衍射法得到试样在不同温度下相变产物中六方晶系0SiAlON的晶胞参数a和c，计算B～Si...
关键词：微晶白云母 铝热氮化还原 高温相变 刚玉-β-SiAlON 
肝硬化病人营养支持的进展被引量：37
《中国实用外科杂志》2000年第6期337-339,共3页吴肇汉 秦环龙 
关键词：肝硬化 营养支持 热氮化 营养素代谢异常 氨基酸 
关于NO氮化SiO_2超薄栅介质膜的研究被引量：1
《半导体技术》1999年第1期46-51,共6页熊大菁 项雪松 
研究了采用ＮＯ快速热氮化ＳｉＯ２膜的方法制备超薄栅介质膜，并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄栅的ＮＭＯＳＦＥＴ，ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。
关键词：热氮化 一氧化氮 二氧化硅 超薄栅介质膜 
氮化SiO_2超薄层的特性研究
《北京工业大学学报》1998年第3期5-9,共5页严辉 宋雪梅 王波 陈光华 
北京市科技新星计划;回国人员科研启动费资助
在Si衬底表面，利用高温氧化获得了厚度小于0nm的SiO2超薄层，经过进一步的快速热氮化制备出氯化SiO2超薄层通过光电子能谱（XPS）和表面荷电能谱（SCS）的测试分析，研究了氮化SiO2超薄层中N的分布以及SiO2超薄层／Si界面态密度（Dit...
关键词：超薄层 热氮化 化学性质 电学性质 二氧化硅 
快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1997年第4期269-274,共6页冯文修 陈蒲生 黄世平 
国家及广东省自然科学基金
用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研究结果表明，在较低的温度下（＜900℃）氯化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速...
关键词：二氧化硅 热氮化 氮分布 氮化机理 
RTP改善超薄SiO_2膜特性的研究
《半导体技术》1997年第4期34-36,共3页熊大菁 江思思 姜宏 
超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｉｎｇ——ＲＴＰ）后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容、ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中作栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ２ＰＲＯＭ中作隧道氧...
关键词：RTP 热氮化 二氧化硅 氮氧化硅 ULSI 
快速热氮化SiO_xN_y薄介质膜的电荷特性与光学性质
《Journal of Semiconductors》1996年第2期145-150,共6页陈蒲生 S.P.Wang 岑洁儒 K.H.Lee 董长江 
国家自然科学基金;香港裘槎基金
对于快速热氮化（ＲＴＮ）的ＳｉＯｘＮｙ薄膜（ＲＴＮＦ），本文不仅采用Ｂ－Ｔ处理高频Ｃ－Ｖ测试研究了它的电荷特性，而且还借用椭圆偏振谱技术和俄歇电子能谱分析研究了它的光学性质和微结构组分，同时还讨论了电学特性与光学性质...
关键词：SIOXNY薄膜 介质膜 热氮化 电荷特性 光学性质 
快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿被引量：3
《华南理工大学学报（自然科学版）》1995年第12期89-94,共6页黄美浅 李观启 刘百勇 
研究不同类型、不同沟道长度的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其...
关键词：击穿电压 MOSFET 栅氧化层 热氮化 二氧化硅 
用俄歇能谱研究热氮化SiO_2膜中氮原子的扩散
《华南理工大学学报（自然科学版）》1995年第12期75-81,共7页刘小阳 陈蒲生 王川 黄世平 
国家自然科学基金
应用俄歇电子能谱仪，对快速热氮化法制备的热氮化二氧化硅（ＲＴＮＳｉＯ２）薄膜及快速热氮化后再氧化退火的二氧化硅（ＰＮＡＳｉＯ２）薄膜，进行元素深度分布剖析。薄膜厚度约为６０ｎｍ。分析结果发现；１）氮原子在二氧化硅薄膜...
关键词：热氮化 氮原子 二氧化硅 薄膜 俄歇能谱 
用快速热工艺氮化超薄SiO_2膜的研究被引量：1
《华南理工大学学报（自然科学版）》1995年第12期121-126,共6页冯文修 陈蒲生 黄世平 
国家自然科学基金;香港裘槎基金
将热生长的超薄（４～２３ｎｍ）ＳｉＯ２置于用卤素钨灯作辐射热源的快速热工艺（ＲＴＰ）系统中，用快速热氮化（ＲＴＮ）工艺制备了超薄的ＳｉＯｘＮｙ膜。研究表明，设定温度是工艺的关键。研究ＲＴＮ过程的化学皮应和动力学与温度...
关键词：热氮化 二氧化硅 氮化反应 薄膜 快速热工艺 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部