应用高频C-V仪测量快速热氨化的SiO_xN_y膜电荷特性实验中若干问题的探讨  

作　　者：岑洁儒 陈蒲生[1] 丁雄[1] 

机构地区：[1]华南理工大学应用物理系,广州石牌510641

出　　处：《半导体技术》1993年第1期58-61,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金资助课题

摘　　要：本文提出了采用高频C-V仪测量快速热氮化的SiO_xN_y膜中固定电荷密度、可动离子密度的实验中不容忽略的两个问题:记录仪信号转换不同步时带来的高频C-V特性曲线记录失真;介质膜经过快速热氮化处理后介电系数的变化在数据处理中引起的计算误差.文中深入分析了这两个问题的原因,指出它的影响,提出了有效的消除办法.

关 键 词：介质膜 测量 C-V仪 热氮化 实验 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]