大功率无衬底N－GaAlAs／P－GaAs：Si单异质结红外发光二极管  

High-power and Substrate-free N-GaAlAs/P-GaAs:Si Single-heterostructure Infrared Emitting Diodes

作　　者：罗海荣[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所

出　　处：《半导体光电》1994年第1期69-72,共4页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：报道了一种大功率无衬底Ｎ－ＧａＡｌＡｓ／Ｐ－ＧａＡｓ：Ｓｉ单异质结红外发光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器件在５０ｍＡ工作电流下，输出功率典型值７．５ｍＷ，最大功率１１ｍＷ。The fabrication technology and optoelctronic characteristics of high-power and substratefree N-GaAlAs/PGaAs:Si single-heterostructure infrared LED are reported.The device is characterized by the output power of over 11mW,with the typical value of 7.5mW at the injection current of 50mA.

关 键 词：红外发光二极管 GAALAS GAAS 单异质结 二极管 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学]