单异质结

作品数:12被引量:34H指数:3
导出分析报告
相关领域:电子电信理学更多>>
相关作者:纪剑峰郜炜薛舫时张良浩陈辰更多>>
相关机构:普林斯顿大学理事会北京大学苏州英诺迅科技有限公司中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关期刊:《微波学报》《光学学报》《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》《发光学报》更多>>
相关基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
GaN/Si单异质结太阳电池的模拟被引量:2
《光学学报》2020年第24期114-121,共8页王傲霜 肖清泉 陈豪 谢泉 
国家自然科学基金(61264004);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目([2018]09);贵州省高层次创新型人才培养项目([2015]4015)。
采用wxAMPS软件模拟了GaN/Si单异质结太阳电池,研究了电池各层掺杂浓度、厚度及温度对电池开路电压(VOC)、短路电流密度(JSC)、填充因子(F)和光电转换效率的影响。模拟结果表明,随着Si层受主浓度的增大,JSC减小,VOC、F和转换效率均增大...
关键词:材料 晶体硅太阳电池 wxAMPS软件 GaN/Si单异质结 转换效率 
有机薄膜太阳电池的研究进展被引量:3
《半导体光电》2010年第5期670-676,共7页王琦 王娜娜 于军胜 蒋亚东 
国家自然科学基金项目(60721001;60736005;60425101-1);教育部新世纪优秀人才基金项目(NCET-06-0812);教育部留学归国基金项目(GGRYJJ08-05);教育部博士点基金项目(20090185110020);四川省青年基金项目(09ZQ026-074);部级基金项目(9140A02060609DZ0208)
有机薄膜太阳电池作为一种新型光伏电池,近年来得到了迅猛发展。其制备工艺简单、价格低廉、柔性、质轻,为人类解决能源问题提供了一种崭新的途径。文章综述了近年来有机薄膜太阳电池的发展状况,结合有机薄膜太阳电池的发展历史,分析了...
关键词:有机薄膜太阳电池 单异质结 体异质结 叠层结构 
一个新的单异质结InGaP/GaAs HBT模型
《微波学报》2006年第3期40-44,共5页刘军 孙玲玲 
国防科技重点实验室基金(No.51491010105DZ0401);浙江省重大国际合作项目(No.2004C14004)资助课题
对VB IC B JT模型用于Ⅲ-V族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAsHBT模型,并用于该类器件建模。测量和模型仿真I-V特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明...
关键词:VBIC模型 UCSD模型 INGAP/GAAS HBT模型 宽带放大器 
单异质结蓝色有机电致发光器件被引量:1
《半导体光电》2004年第1期22-24,共3页吴有智 郑新友 朱文清 孙润光 蒋雪茵 张志林 许少鸿 
国家自然科学基金重大研究计划项目(90 2 0 1 0 3 4);国家自然科学基金资助项目 (60 0 770 2 0 ;50 2 43 0 2 0 );上海市光科技资助项目 (0 1 2 2 61 0 55)
 为了增加电子注入,蓝色有机电致发光器件中通常包含一层由发绿光的Alq组成的电子传输层,因此器件的发光常常不可避免地要出现Alq本身的发光从而影响器件的发光色纯度。在以胺类衍生物(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'bip...
关键词:有机电致发光 蓝色 色纯度 联苯乙烯衍生物DPVBi 
半导体激光器的发展及其应用被引量:23
《成都大学学报(自然科学版)》2003年第3期34-38,共5页王路威 
本文对半导体激光器的工作原理。
关键词:半导体激光器 工作原理 光场 单异质结 双异质结 量子阱 直接带隙半导体材料 
单异质结有机薄膜电致器件发光过程的理论模型
《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》2003年第2期19-21,共3页蒋业文 谭海曙 
国家自然科学基金资助项目 ( 6960 60 0 2 )
在 Fowler-Nordheim方程的基础上 ,利用高斯定理对单异质结有机薄膜电致发光器件的发光过程进行理论分析和计算。计算结果表明在单异质结电致发光器件中 ,可降低器件的电流水平 。
关键词:有机薄膜电致发光 异质结 空间电荷 电场重新分布 
激光工作物质
《中国光学》1995年第3期18-18,共1页
TN244 950315162~4μm波长的InAsPSb异质结激光管材料的液相外延=Liquid phase epitaxial growth of InAsPSb/InAs heterojunction for laser diode inthe 2~4μm waveIength region[刊,中]/王永珍,金长春,吕贵进(中科院长春物理所.吉...
关键词:光谱特性 液相外延 激光二极管泵浦 单异质结 外延层 晶体 外延方法 荧光寿命 激光输出 发光学 
大功率无衬底N-GaAlAs/P-GaAs:Si单异质结红外发光二极管
《半导体光电》1994年第1期69-72,共4页罗海荣 
报道了一种大功率无衬底N-GaAlAs/P-GaAs:Si单异质结红外发光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器件在50mA工作电流下,输出功率典型值7.5mW,最大功率11mW。
关键词:红外发光二极管 GAALAS GAAS 单异质结 二极管 
(110)取向的调制掺杂GaAs-AIGaAs单异质结的光致荧光谱被引量:5
《物理学报》1993年第9期1529-1531,共3页程文芹 刘双 周均铭 刘玉龙 朱恪 
测量了含碳量高低不同的(110)取向的调制掺杂GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As单异质结在4.2K下的光致荧光谱。在含碳量高的样品中,出现了强的沟道二维电子到受主的复合荧光峰;而在含碳量很低的样品的光致荧光中则只出现体GaAs的荧光峰。
关键词:砷化镓 异质结 光致发光 荧光 
高亮度GaAlAs单异质结红光二极管
《发光学报》1993年第4期320-324,共5页罗宗铁 何胜夫 董萍 李向文 魏文超 赵宇 
本文从工业生产角度对GaAlAs单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究.设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟,选择了合适的管芯参数与生长条件,制定出稳定重复的工艺流程.用本项技术制出的单异质结管芯,发光波长为660nm,平...
关键词:红光二极管 单异质结 发光器件 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部