功率PHEMT的直流特性研究  

Study on DC Characteristics of Power PHEMT

作　　者：贾海强 王长河 李效白 

出　　处：《半导体情报》1994年第4期12-16,共5页Semiconductor Information

摘　　要：描述了高电子迁移率晶体管的作用、工作原理及发展概况，叙述了器件特性。制作出了栅长为１μｍ的ＰＨＥＭＴ样品，它的最大跨导为１７０ｍＳ／ｍｍ，击穿电压为４Ｖ，最大电流密度为２７０ｍＡ／ｍｍ，阈值电压为１．５Ｖ。The use, principle of operation,and developing trends of a pseudo-morphic HEMT are reported. We have fabricated a sample with 1μm gate length. The devices exhibit a maximum transconductance of 170mS/mm,a breakdown voltage of 4V and a maximum current density of 270 mA/mm,and a threshold voltage of 1.5V.

关 键 词：PHEMT 功率晶体管 直流特性 

分 类 号：TN386.3[电子电信—物理电子学]