用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co－Si化合物薄膜的研究  

Study of Co-Si Compound Films Obtained by IBAD Combined with Vacuum Deposition Multilayer Technique

作　　者：杨杰[1] 阎忻水[1] 陶琨[1] 范玉殿[1] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1994年第8期533-539,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金;中关村分析测试基金

摘　　要：本文通过离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由α－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜．薄膜与Ｓｉ（１１１）基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散，而用复合方法镀制的薄膜与Ｓｉ基底以及各层之间都产生了混合和扩散，并已有ＣＯ２Ｓｉ、ＣｏＳｉ相生成．７５０℃退火３０分钟后，无轰击样品只在硅基底与薄膜界面处产生明显的反应和扩散，而复合方法该制的样品则形成均匀的ＣｏＳｉ２薄膜。Abstract Combining the IBAD technique with vacuum deposition multilayer method, Co-Si compound films have been synthesised and analysised by RBS and XRD. Compared with multilayer Co/Si films obtained by e-gun evaporation without ion beam bombardment, the results show that the structure of multilayer Co/Si films is changed by ion beam bombardment. Annealing the films at 750℃ for 30 min, the IBAD specimens form CoSi2, that can not be chained by annealing the vapoured. Films without ion beam bombardment.

关 键 词：硅化物 化合物薄膜 离子束 沉积 

分 类 号：TN304.205[电子电信—物理电子学]