阎忻水

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
发文主题：硅化物技术合成离子束更多>>
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用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co－Si化合物薄膜的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第8期533-539,共7页杨杰 阎忻水 陶琨 范玉殿 
国家自然科学基金;中关村分析测试基金
本文通过离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由α－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜．薄膜与Ｓｉ（１...
关键词：硅化物 化合物薄膜 离子束 沉积 
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