离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除  

Characterization and Elimination of Ion Beam Damage to GaP Surface

作　　者：卢学坤[1] 侯晓远[1] 丁训民[1] 王迅[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1994年第11期790-794,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用．本文采用低能电子衍射、Ｘ光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对ＧａＰ极性表面经Ａｒ离子溅射后的损伤情况进行了研究．主要探讨表面损伤及其消除、表面能带弯曲等问题．Abstract The ion beam treatment has various important applications in device process and material characterization.The damage effects of Ar ion sputtering on GaP surface are studied by various electron spectroscopic techniques. The discussion concentrates on the surface band bending, surface damage and its elimination, etc.

关 键 词：磷化镓 离子溅射 极性 半导体表面 损伤 消除 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]