三端电压控制型负阻器件(4)  被引量:3

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作  者:郭维廉[1] 

机构地区:[1]天津大学电子工程系

出  处:《半导体杂志》1994年第4期28-35,共8页

摘  要:三端电压控制型负阻器件(4)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第四章“∧”双极晶体管[13,14]“∧”双极晶体管(LambdaBipolarTransistor),简称LBT。是以一n沟增强型MOS管作为反馈器件与一npn型纵向双极管(主器件...

关 键 词:双极晶体管 负阻器件 晶体管 

分 类 号:TN322.8[电子电信—物理电子学]

 

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