多晶硅敏感技术(连载三)  

Sensing Technology Based on Polycrystalline Silicon (Serial Three)

作　　者：王善慈[1] 

机构地区：[1]电子工业部第49研究所

出　　处：《传感器技术》1994年第3期50-57,共8页Journal of Transducer Technology

摘　　要：4 多晶硅薄膜的电学特性 多晶硅薄膜的敏感特性与它的电学性质有着密不可分的联系。为了获得良好的多晶 硅敏感器件,必须分析其电学性质,找出它与薄膜结构、进而与生长条件、工艺过程等的联系,以便通过对生长条件及其工艺过程的控制来获得性能良好的多晶硅敏感器件。4.1 概述 与单晶硅相比。

关 键 词：多晶硅 敏感器件 硅薄膜 

分 类 号：TN379[电子电信—物理电子学]