绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究  

作　　者：刘安生[1] 邵贝羚[1] 李永洪[1] 张鹏飞[1] 钱佩信[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院,清华大学微电子所

出　　处：《电子显微学报》1994年第6期458-458,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

摘　　要：绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生，邵贝羚，李永洪，张鹏飞，钱佩信（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（清华大学微电子所，北京１０００８４）绝缘衬底上的硅膜ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）是近年发展起来的一种新型的超大规模集成...

关 键 词：集成电路 绝缘衬底 硅 薄膜 再结晶 

分 类 号：TN44[电子电信—微电子学与固体电子学] O783[理学—晶体学]