张鹏飞

作品数：9被引量：3H指数：1
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供职机构：清华大学更多>>
发文主题：SOI再结晶硅膜超疏水材料超疏水表面更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《电子显微学报》《微细加工技术》《电子学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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定域再结晶SOI的透射电镜研究
《Journal of Semiconductors》1995年第10期736-740,共5页刘安生 邵贝羚 李永洪 刘峥 张鹏飞 钱佩信 
国家自然科学基金
高频感应石墨条加热快速区熔再结晶工艺制备的无籽晶热沉积结构（Ｈｅａｔ－ＳｉｎｋＳｔｒｕｃ－ｔｕｒｅ）ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）硅薄膜具有［１００］取向，其缺陷被限制在厚ＳｉＯ２层上的硅膜中，使薄的...
关键词：SOI 再结晶 透射电镜 硅薄膜 
SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟被引量：2
《电子学报》1995年第2期30-34,共5页王煜 张鹏飞 侯东彦 钱佩信 罗台秦 
高等学校博士学科点专项科研基金;国家基础性研究重大关键项目;计划(攀登计划)研究课题
本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速...
关键词：计算机模拟 SOI/MOS器件 I-V特性 场效应晶体管 
绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究
《电子显微学报》1994年第6期458-458,共1页刘安生 邵贝羚 李永洪 张鹏飞 钱佩信 
绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生，邵贝羚，李永洪，张鹏飞，钱佩信（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（清华大学微电子所，北京１０００８４）绝缘衬底上的硅膜ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）是近...
关键词：集成电路 绝缘衬底 硅 薄膜 再结晶 
红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制
《Journal of Semiconductors》1994年第11期737-740,共4页张鹏飞 侯东彦 杨景铭 钱佩信 罗台秦 
高等学校博士学科点专项科研基金
本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上，指出ＳＯＩ晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系，从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施．
关键词：SOI 再结晶 熔化 形貌缺陷 多晶硅 薄膜 
熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高
《电子学报》1994年第5期84-87,共4页张鹏飞 侯东彦 杨景铭 钱佩信 罗台秦 
高等学校博士学科点专项科研基金
本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为，指出为了提高再结晶质量，熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术，成功地制备了...
关键词：区熔再结晶 SOI晶膜 再结晶 硅 
绝缘层上硅膜-红外区熔再结晶过程中熔区的检测
《传感器技术》1993年第6期1-4,共4页张鹏飞 田果成 蔡林 钱佩信 
硅片上熔区温度的检测,是实现SOI(Silicon-on-Insulator)材料结构的区熔再结晶(ZMR)工艺的技术关键,也是技术难点之一.提供了一种适用于特定实验环境(高频、高压、高温)的具有特殊功能(高分辨率、易于瞄准)的光纤测温计,对于提高ZMR工...
关键词：再结晶 半导体薄膜 温度 测量 
SOI晶体质量分析技术
《微细加工技术》1993年第1期32-37,共6页张鹏飞 钱佩信 
本文评述了腐蚀金相技术、物理化学技术和电学测试技术等晶体质量分析手段,研究了这些方法在SOI晶膜检测中的应用,对于SOI质量鉴定和SOI工艺评价具有实用价值。
关键词：半导体材料 SOI 晶体质量 质量分析 
定域无缺陷SOI的制备
《微细加工技术》1992年第3期21-24,共4页张鹏飞 钱佩信 
两种行之有效的晶粒间界限制技术:热沉结构和硅槽结构使区熔再结晶SOI实现定域无缺陷,这是采用区熔技术制备SOI的技术关键和难点所在。本文讨论了两种结构限制晶界的机理。
关键词：SOI 晶粒间界 制备 半导体材料 
用于制备SOI材料的RF-ZMR技术研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1991年第11期673-678,T001,共7页张鹏飞 钱佩信 林惠旺 柳连俊 
开发了一种新型的RF-ZMR技术,其主要特点是高频感应加热器的石墨板和双石墨条位于SOI 样品的同侧.这样可提高垂直于硅片表面方向的温度梯度,有利于防止背面熔化,并能采用较厚氧化隔离层.实验证明,采用热沉结构的样品经该系统再结晶处理...
关键词：SOI材料 硅单晶 薄膜 RF-ZMR技术 
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