云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 晶粒间界

晶粒间界: 作品数：66被引量：76H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：张立德周自强余宗森高汝伟张俊善更多>>; 相关机构：中国科学院北京科技大学日东电工株式会社钢铁研究总院更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划黑龙江省教育厅科学技术研究项目国家教育部博士点基金更多>>

葛庭燧:科学岛上归国科学家: 《党史纵览》2023年第1期45-47,共3页赵菁奇; 葛庭燧是我国著名物理学家,毕生致力于金属物理学的发展,与同时代国际最著名的金属物理、材料科学家并驾齐驱。他创造性地发明了被国际科学界命名为“葛氏摆”的内耗测量装置,并成功地利用该装置在国际上首次发现了晶粒间界内耗峰——...; 关键词：金属物理学材料科学家著名物理学家滞弹性晶粒间界并驾齐驱

Thermal induced single grain boundary break junction for suspended nanogap electrodes: 《Science China Materials》2015年第10期769-774,共6页崔阿娟刘哲董焕丽王玉瑾甄永刚李无瑕李俊杰顾长志胡文平; supported by the National Natural Science Foundation of China(51222306,61390503,91323304,91222203,91233205 and 91433115);China-Denmark Co-project(60911130231);TRR61(NSFC-DFG Transregio Project);the National Basic Research Program of China(2011CB808405,2011CB932304,2013CB933403 and 2013CB933504);the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences(XDB12030300);Beijing NOVA Programme(Z131101000413038);Beijing Local College Innovation Team Improve Plan(IDHT20140512);China Postdoctoral Science Foundation(2015M571130); Construction of molecular devices is one of the most promising approaches for the ultimate miniaturization of electronic devices, the groundwork of which is the fabrication of nanogap electrodes. Here we report a meth...; 关键词：纳米间隙晶界晶粒间界晶体点阵 GB 分子器件电子器件晶间断裂脆性断裂

高性能双栅复合介质ZnO薄膜晶体管的模拟: 《固体电子学研究与进展》2015年第2期115-119,共5页王昭姚阳钟传杰; 国家自然基金资助项目(60776056); 提出ZnO薄膜晶体管的一种新型结构——双栅复合介质结构,并利用ATLAS软件对双栅复合介质结构与双栅单介质结构进行仿真。对比分析结果表明,采用复合介质材料可以明显提高器件的电学特性,在相同偏置条件下,双栅复合介质结构饱和电流为5.5...; 关键词：氧化锌薄膜晶体管双栅复合介质晶粒间界势垒高度

让“磁王”更强: 《今日科技》2014年第1期15-15,共1页; 有“磁王”之称的稀土永磁材料钕铁硼在现代高科技领域被广泛应用,从口袋里的手机、医院里的核磁共振仪到汽车、飞机,都离不开这种磁性优异的神奇材料.人均钕铁硼用量已经成为评价一国发达程度的重要指标.浙江大学材料科学与工程系教授...; 关键词：钕铁硼晶界严密浙江省晶粒间界晶体点阵稀土永磁材料稀土金属间化合物永磁材料制备技术

不锈钢概论（36）: 《不锈（市场与信息）》2012年第6期21-25,共5页陆世英; 8．3．3晶间腐蚀的现象、产生原因和防止措施（1）现象不锈钢沿晶粒间界优先受到腐蚀。示意图见图8．4（实际照片见图8．5）。这是早期最常见的局部腐蚀形式。现在己在减少。; 关键词：不锈钢晶间腐蚀晶粒间界腐蚀形式示意图

多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展: 《暨南大学学报（自然科学与医学版）》2011年第5期528-533,共6页黄君凯刘璐邓婉玲; 教育部科学技术研究重点项目(211206);中央高校基本科研业务费项目(21611422);广东高校优秀青年创新人才培养计划(育苗工程)项目(LYM10032); 随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上...; 关键词：多晶硅薄膜晶体管模型晶界带隙能态

晶粒间界相及结构缺陷对HDDR粘结磁体矫顽力的影响被引量：1: 《原子与分子物理学报》2011年第5期953-958,共6页刘敏古爱琼高汝伟; 惠州学院博士科研启动项目(C510.0205); 本文根据氢化/歧化/脱氢/重组(HDDR)Nd-Fe-B磁粉晶粒边界微结构的特点,建立了缺陷区内的磁晶各向异性常数K′_1及交换积分常数A′_1的双变量连续变化模型,研究了晶粒间界相厚度d及晶粒表面结构缺陷厚度r_0对磁体矫顽力的影响.结果表明:...; 关键词：粘结磁体双变量模型微结构矫顽力

多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型被引量：1: 《华南理工大学学报（自然科学版）》2010年第5期61-64,共4页姚若河欧秀平; 国家自然科学基金资助项目(60776020); 提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管.研究表明:当晶粒尺寸Lg<0.4μm时...; 关键词：多晶硅薄膜晶体管迁移率模型晶粒间界

半导体中的广延缺陷电子性质、器件效应及结构: 《国外科技新书评介》2010年第1期21-22,共2页胡光华; 广延或结构性缺陷是对结构完整性的永久偏离，即对实际晶体原子的正确部位的永久性偏离。研究半导体的一个中心议题是与研究各种缺陷以及它们对材料的性质和电子器件工作的影响相关的。有关半导体中广延缺陷的电子性质（即位错、堆积缺...; 关键词：结构性缺陷结构完整性电子性质电子器件半导体晶粒间界永久性

多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应被引量：1: 《微电子学》2008年第6期796-799,816,共5页欧秀平姚若河吴为敬; 国家自然科学基金资助项目(60776020); 通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型,研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响。研究表明,考虑了晶粒间界电荷分享效应的阈值电压将变小,其中晶粒尺寸对阈值电压的影响最大。在此基础上,建立了多晶硅薄膜晶体管...; 关键词：多晶硅薄膜晶体管晶粒间界电荷分享效应

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