SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟  

Computer Simulation of I-V Characteristics of SOI MOSFET

作　　者：王煜[1] 张鹏飞[1] 侯东彦[1] 钱佩信[1] 罗台秦[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所,香港科技大学电机电子工程系

出　　处：《电子学报》1995年第2期30-34,共5页Acta Electronica Sinica

基　　金：高等学校博士学科点专项科研基金;国家基础性研究重大关键项目;计划(攀登计划)研究课题

摘　　要：本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。The I-V characteristics of SOI MOSFET are studied and an analytic model for SOI MOS devices is established.The model,which is valid for any SOI film thickness and each kind of front/back-gate bias conditions,has such advantages as analytic expression,clear physical meaning,simple and quick calculation,and easy extraction of used parameters.For each SOI film thickness or back gate bias,the suitable expression will be adopted automatically by the computer.The simulation results are well consistent with the experimental data.

关 键 词：计算机模拟 SOI/MOS器件 I-V特性 场效应晶体管 

分 类 号：TP391.9[自动化与计算机技术—计算机应用技术] TN386[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]