大剂量P^＋离子注入单晶硅的研究  

A study of high-dose P￣+ ions implantation into single-crystal silicon

作　　者：高剑侠[1] 朱德彰[1] 曹德新[1] 周祖尧[1] 

机构地区：[1]中国科学院新疆物理研究所,中国科学院上海原子核研究所,中国科学院上海冶金所离子束开放实验室

出　　处：《核技术》1994年第2期65-68,共4页Nuclear Techniques

基　　金：中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室资助

摘　　要：采用４８０ｋｅＶＰ＋离子注入单晶硅，注入剂量为１×１０１６ｃｍ－２。采用ＲＢＳ、ＴＥＭ技术测试样品，发现样品经６００℃退火后，距样品表面约２４０ｎｍ处有一条低密度缺陷带。研究表明，这一现象与Ｐ＋的剂量及退火温度有关。The damage and annealing behavior of single-crystal Si(100) samples implanted with 480 keV P+ ions with a dose of 1×1016cm-2 have been studied.Samples were analysed with RBS/channeling and cross-sectional TEM techniques.The result indicates that there is a low density defects band at the depth of 240 nm after annealing at 600℃ for 30min.This phenomenon is related to P+ dose and annealing temperature.

关 键 词：退火 缺陷 离子注入 单晶硅 硼离子 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]