用微波等离子体化学气相沉积(MWCVD)法在(100)Si衬底上沉积织构金刚石膜  

作　　者：张文军[1] 张仿清[1] 胡博 韩立[1] 陈光华[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理系,兰州730000

出　　处：《科学通报》1994年第23期2203-2203,共1页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家"八六三"高技术基金资助项目

摘　　要：人工合成金刚石薄膜最重要的应用前景之一是有可能成为新一代高温、高频、大功率半导体器件的材料,但由于多晶金刚石膜中颗粒的晶向分布杂乱,而且存在大量的晶粒间界和缺陷,大大地影响了膜的质量,不可能用以制造高性能的电子器件,所以人们一直在致力于金刚石外延膜的研究.

关 键 词：金刚石 薄膜 人工合成 气相沉积 MWCVD 硅 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]