制作硅－锗器件的超高真空化学汽相淀积工艺  

作　　者：潘骅 

出　　处：《微电子学》1994年第5期70-72,共3页Microelectronics

摘　　要：长期的研究表明，低温外延技术带来许多独特的好处，该技术能克服诸如采用常规ＣＶＤ作硅外延或离子注入所产生的随意的、不连续的掺杂剖面等缺陷。而低温外延技术的实现得益于ＵＨＶ／ＣＶＤ技术的应用，工业用的ＵＨＶ／ＣＶＤ系统已经成功地应用于ＳｉＧｅ器件的制备中，并取得了令人满意的结果。

关 键 词：UHV CVD 化学汽相淀积 硅 锗 半导体器件 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]