各向异性6H-SiC MOSFET击穿的温度特性  

Temperature Dependence of Breaddown in Anisotr opic 6H-SiC MOSFET

作　　者：刘莉[1] 杨银堂[1] 柴常春[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,西安710071

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第1期47-51,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：科技基金 (4 13 0 80 60 2 0 2 );教育部跨世纪人才培养基金资助

摘　　要：分析了不同晶面上温度对 6H-Si C MOSFET击穿特性的影响。以 Si面为例 ,分析了温度对器件的击穿电压、临界电场、比导通电阻等物理量的影响。根据 6H-Si C各向异性的特性 ,采用张量扩展将其扩展到 C面 ,研究表明虽然在不同的晶面上器件的击穿电压不同 ,但其随温度的变化趋势是相同的 ,都具有正温度系数。Influence of temperature on breakdo wn in anisotropic 6H-SiC MOSFET is studied. Taken Si face for example, influenc e of temperature on the breakdown voltage, critical electrical field and specifi c on-state resistance is thoroughly analyzed. Considering the anisotropy of mat erial, anisotropy of the breakdown is obtained in different face but the tendenc y of breakdown voltage vs. temperature is same, both have positive temperature c oefficient.

关 键 词：6H-SiCMOSFET 温度 雪崩击穿 各向异性 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]