新型大功率双波长半导体激光器的研制  

Novel High Power Dual-Wavelen gth Semiconductor Laser Diode

作　　者：郭伟玲[1] 田咏桃[1] 李建军[1] 马丽娜[1] 鲁鹏程[1] 王婷[1] 邹德恕[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系北京光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第1期129-132,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家 973计划 (No.2 0 0 0 0 683 -0 2 ) ;北京市科委项目 (KP0 2 0 42 0 0 2 0 1) ;北京市教委项目 (2 0 0 2 KJ0 18)

摘　　要：提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和 987nm,为基模激射。器件在 5 3 0 m A直流工作时输出功率达到 5 0 0 m W,斜率效率为1 .3 3 W/A。在 2 A电流时功率达 2 .4W,斜率效率为 1 .3 8W/A;3 A电流时功率达 3 .1 W,斜率效率为 1 .2 1 W/A。A novel structure of high power dual-wav elength semiconductor laser diode is pr oposed and fabricated. Two kinds of lase r structure are cascaded by a high dopin g tunnel junction during the epitaxial g rowth. The lasers can emit at wavelength of 951 nm and 987 nm at the same time. The output power of the dual-wavelength laser is as high as 3.1 W at 3 A and 2.4 W at 2A. And the slope efficiency of th ese devices is about 1.33 A/W. Much high er output power can be reached for those dual-wavelength lasers when modifying t he structure.

关 键 词：大功率 半导体激光器 双波长 隧道结 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]