王婷

作品数：11被引量：12H指数：2
导出分析报告
供职机构：北京理工大学机电学院机电工程与控制国家级重点实验室更多>>
发文主题：激光剥离GANGAN材料温度场MEMS更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《功能材料》《科技导报》《固体电子学研究与进展》《强激光与粒子束》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划北京市教委资助项目北京市科委重大项目国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列(英文)被引量：3
《强激光与粒子束》2015年第2期155-159,共5页杨柳风 王婷 
supported by Beijing Higher Education Young Elite Teacher Project(YETP1203)
针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过...
关键词：微带天线 MEMS 硅 缺陷地 抗干扰 
一种CMOS集成MEMS片上螺旋电感设计与仿真被引量：1
《科技导报》2012年第6期20-23,共4页卢冲赢 徐立新 王婷 
设计了一种与CMOS工艺兼容的MEMS片上螺旋电感。电感为矩形平面螺旋线圈结构,并采用电导率较高的铜代替铝制作线圈。利用MEMS技术设计了厚金属线圈,同时在CMOS级低阻硅衬底中刻蚀空腔,减小了线圈的串联电阻和衬底损耗,提高了电感的Q值...
关键词：MEMS 片上螺旋电感 COMS集成 Q值 
MEMS层叠式硅基微带天线设计与仿真
《测试技术学报》2010年第5期449-453,共5页卢冲赢 王婷 
国家部委基金资助项目(9140C36020808BQ01)
针对引信设计中的天线小型化问题,设计了一种易于与集成电路集成的硅基层叠式微带贴片天线.该天线的设计结合MEMS工艺,通过在硅介质中增加空气腔结构和改变同轴线内导体芯径的途径,改善了微带天线介质基板的等效介电常数和天线的阻抗特...
关键词：MEMS 微带天线 引信 带宽 增益 
激光剥离技术实现垂直结构GaN基LED被引量：3
《光学技术》2009年第2期172-174,共3页王婷 崔占忠 徐立新 
国家部委预研资助项目(62301060503)
为改善GaN基发光二极管(Light-emitting diode,LED)的电学特性和提高其输出光功率,采用激光剥离技术,在KrF准分子激光器脉冲激光能量密度为400mJ/cm2的条件下,将GaN基LED从蓝宝石衬底剥离,结合金属熔融键合技术,在300℃中将GaN基LED转...
关键词：光电子学 LED GAN 激光剥离 键合 
激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底被引量：1
《激光与红外》2007年第1期62-65,共4页方圆 郭霞 王婷 刘斌 沈光地 井亮 陈涛 
国家973计划项目(2006CB604902);北京市人才强教计划项目(05002015200504);北京市教委项目(KZ200510005003);国家自然科学基金(60506012)资助
在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底。采用激光剥离技术,在400mJ/cm2脉冲激光能量密度条件下,成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底。激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,电镀Cu衬底...
关键词：GAN 激光剥离 SEM分析 XPS分析 
激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究被引量：1
《功能材料》2007年第1期88-90,共3页王婷 郭霞 方圆 刘斌 沈光地 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2004AA311030);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(20000683-02);北京市教委资助项目(2002KJ018;KZ200510005003);北京市科委重点资助项目(D0404003040221)
采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层转移到Si衬底上。GaN和Si表面分别用电子束蒸发Al/Ti/Au和Ti/Au/In后,在氮气环境下200℃加压实现GaN和Si的键合。采用脉冲宽度30ns、波长248nm的准分子脉冲激光透...
关键词：激光剥离 GAN 扫描电镜 原子力显微镜 光致发光谱 
激光剥离Al_2O_3/GaN中GaN材料温度场的模拟被引量：2
《光电工程》2006年第3期101-105,共5页王婷 郭霞 刘斌 沈光地 
国家863计划;国家973计划(20000683-02);北京市教委项目(2002kj018;kz200510005003);北京市科委重点项目(D0404003040221)
对激光剥离Al2O3/GaN技术,建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型。计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时,GaN外延层内的温度场分布,由此得到激光剥离的阈值条件。采用紫外KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥...
关键词：温度场 激光剥离 脉冲激光 GAN 
基于有限元分析法的激光剥离技术中GaN材料瞬态温度场研究被引量：1
《中国激光》2005年第9期1295-1299,共5页王婷 郭霞 刘斌 牛南辉 郭伟玲 沈光地 
国家973计划项目(20000683-02);北京市教委项目(2002kj018);北京工业大学博士启动基金(kz0204200387);北京市科委重点项目(D0404003040221)资助课题
用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布。采用波长248 nm的KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,实验结果与有限元数值模拟结果一致。分析了影响GaN...
关键词：光电子学 激光剥离 温度场 有限元 GAN材料 
激光剥离技术中GaN材料温度场的研究
《激光杂志》2005年第5期80-81,共2页王婷 郭霞 郭伟玲 牛南辉 沈光地 
国家863计划(2004AA311030);国家973计划(20000683-02);北京市教委(KZ200510005003;2002kj018);北京市科委重点项目(D404003040221)资助
对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型。计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布。得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限约为1400Hz,阈...
关键词：温度场 剥离 一维模型 脉冲激光 GAN 
新型大功率双波长半导体激光器的研制
《固体电子学研究与进展》2005年第1期129-132,共4页郭伟玲 田咏桃 李建军 马丽娜 鲁鹏程 王婷 邹德恕 沈光地 
国家 973计划 (No.2 0 0 0 0 683 -0 2 ) ;北京市科委项目 (KP0 2 0 42 0 0 2 0 1) ;北京市教委项目 (2 0 0 2 KJ0 18)
提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和 987nm,...
关键词：大功率 半导体激光器 双波长 隧道结 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部