Zr-Si-N 扩散阻挡层及其热稳定性的研究  

The Study of Zr-Si-N Diffusion Barrier and Its Thermal Stability

作　　者：宋忠孝[1] 丁黎 徐可为[1] 陈华[1] 

机构地区：[1]西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西西安710049 [2]山东省临沂市兰山区金雀山办事处,山东临沂276000

出　　处：《稀有金属材料与工程》2005年第3期459-462,共4页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：国家自然科学基金重点项目 (59931010);教育部骨干教师计划项目资助

摘　　要：用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N 扩散阻挡层,结果表明:Zr-Si-N 膜的Si 含量、电阻率随偏压的升高而降低;Zr-Si-N 膜的晶体相随溅射偏压的升高而增加;Zr-Si-N 扩散阻挡层的热稳定性高,在850oC 时仍能有效阻挡Cu 的扩散。Zr-Si-N diffusion barrier films were deposited by reactive magnetron sputtering with different negative bias. The results reveal that the Si content and resistivity of the Zr-Si-N films decrease as negative bias increases. The crystalline phase increases with the increase of negative bias. The thermal stability of Zr-Si-N diffusion barrier was so good that Zr-Si-N diffusion barrier can effectively prevent from the diffusion of Cu.

关 键 词：Zr-Si-N 扩散阻挡层 热稳定性 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]