极低功耗的新型1.2kV 1GBT模块  

出　　处：《电世界》2005年第4期41-41,共1页Electrical World

摘　　要：美国飞兆半导体公司(FFairchild Semiconductor)推出两种新型1．2kV的IGBT模块——FMG2G5C)US120和FMG2G75US120。它们罘用2-PAK模块封装，已通过了UL认证。两种新型模块的额定电流分别为50A和75A，同时优化了导通损耗[UCE(sat)]与关断损耗(Enff)，使总体功率损耗非常低。与使用非穿通型(NPT)技术的同类元件相比，FHG2G75US120可减少功率损耗达20％。

关 键 词：低功耗 飞兆半导体公司 IGBT模块 功率损耗 模块封装 UL认证 额定电流 关断损耗 导通损耗 同时优化 类元件 穿通型 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TP368.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]