成品率驱动的光刻校正技术  被引量:1

Yield Driven Optical Lithography Correction Techniques

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作  者:王国雄[1] 

机构地区:[1]浙江大学超大规模集成电路设计研究所,杭州310027

出  处:《半导体技术》2005年第6期10-13,共4页Semiconductor Technology

基  金:国家自然基金资助项目(90207002);国家高新技术研究发展计划资助项目(2002AA1Z1460)

摘  要:光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制造中关键的技术。简要介绍了几种典型的光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导。The optical lithography correction techniques become key technologies in the IC designing and manufacturing of VDSM. The principles of some typical techniques and some requests need to be paid attentions in using those techniques are introduced. Valuable guidance for design for manufacturabilitya rep rovided.

关 键 词:光刻 光学邻近校正 移相掩模 可制造性设计 

分 类 号:TN305.7[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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引证文献:

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