名词术语释义——高k材料  

出　　处：《微纳电子技术》2005年第7期317-317,共1页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：在不同晶体管之间需要更好的绝缘，以避免电流泄漏。在90nm工艺之后，不同晶体管的间距变得非常之短，电流泄漏现象变得异常严重。虽然采用SOI可以有效隔断各电极向衬底流动的漏电流，使其只能够通过晶体管流动，但它对于同级晶体管之间的阻隔效果并不理想；继续用二氧化硅做为晶体管绝缘层也是不可取的。用高k值的氧化物材料来制造晶体管的栅极，

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分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TS871.1[轻工技术与工程]