LPE-n-In_(0.53)Ga_(0.47)As中少子扩散长度的研究  

作　　者：胡雨生[1] 周柄林 杨易[1] 陈强[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《稀有金属》1989年第6期488-491,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：本文用表面光伏法(SPV)测定了在(100)晶向 InP 衬底上液相外延生长的晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As 外延层中的少子扩散长度。已测得的典型结果为:N_D=5×10^(15)cm^(-3),L_P=2μm;N_D=1.2×10^(18)cm^(-3),L_P=0.85μm。此外,还给出了不同浓度(N_D)的 n-InGaAs 中少子扩散长度的变化情况。发现当 N_D 增大时,L_P 随之下降,并且 L_P 下降幅度在高浓度范围内明显加剧。研究结果表明,对于三元合金 n-In_(0.53)Ga_(0.47)As 材料,只要满足一定测试条件,并对样品表面进行必要处理,用 SPV 法测量扩散长度是可行的。

关 键 词：SPV法 INGAAS 少子扩散长度 外延层 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]