(001)取向硅基底上异质外延金刚石薄膜实验研究  

作　　者：杨杰[1] 陈启瑾[1] 林彰达[1] 王利新[2] 金星[2] 张泽[2] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京100080 [2]中国科学院北京电子显微镜中心,北京100080

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1995年第2期233-235,共3页

基　　金：国家自然科学基金;"八六三"高科技基金;中关村分析测试中心基金;博士后基金

摘　　要：单晶硅基底上异质外延生长单晶金刚石薄膜具有重要的理论和实际意义,有广阔的应用前景。它是世界上技术先进国家重点研究课题之一,也是材料工作者的努力方向。目前金刚石薄膜的外延仅局限于同质外延和在微米量级的立方氮化硼(C-BN)上生长。由于硅与金刚石表面能和晶格参数相差非常大(Si:a=0.536 nm,(111)面表面能=1.5 J·m^(-2);金刚石:a=0.356 nm,表面能=6 J·m^(-2),使得硅基底上能否直接外延生长金刚石成为悬而未决的问题。由于缺乏直接的证据,导致众说纷云。

关 键 词：金刚石薄膜 外延生长 界面结构 硅基底 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]