玻璃钝化硅快恢复整流二极管  

ON THE EXISTSENCE OF WEAK SOLUTIONS TO A SYSTEM OF SEMICONDUCTOR EQUATIONS WITH AVALANCHE GENERATION

作　　者：罗文江 

机构地区：[1]衡阳半导体厂

出　　处：《半导体技术》1995年第1期53-57,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：本文对２ＣＮ６型玻璃钝化硅快恢复整流二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析，确定了合理的结构参数和先进的工艺流程，选用合适电阻率和厚度的Ｎ型硅单晶片，采用磷、硼深扩散，精确控制基区宽度形成Ｐ￣＋ＮＮ￣＋结构；铂扩散降低少子寿命τ，从而缩短反向恢复时间ｔ＿（ｒｒ）；双面蒸铝得到铝硅欧姆接触以降低正向压降Ｖ＿（ＦＭ）；钼柱过渡高温冶金焊接确保抗拉强度，并与硅芯片及玻璃实现良好热匹配；化学腐蚀形成台面降低表面电场，玻璃钝化减少反向漏电流提高反向耐压等技术，妥善地解决了Ｖ＿（ＲＲＭ）、Ｖ＿（ＦＭ）、ｔ＿（ｒｒ）三参数之间的矛盾，保证产品性能优良，可靠性高，质量达到国际同类产品水平。

关 键 词：P^+NN^+结构 铂扩散 铝硅 欧姆接触 玻璃钝化 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN305.93