铂扩散

作品数:6被引量:8H指数:2
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铂扩散工艺对硅快恢复二极管特性的影响被引量:5
《华中科技大学学报(自然科学版)》2007年第9期73-76,共4页曾祥斌 孙树梅 袁德成 蒋陆金 
采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间.通过大量实验研究了铂扩散二极管的特性,表明在扩散时间一定的条件下,随着铂扩散温度的升高,反向恢复时间TR...
关键词:铂扩散 反向恢复时间 正向压降 漏电流 
铂扩散快恢复二极管特性的研究
《半导体技术》2006年第12期930-934,共5页孙树梅 曾祥斌 袁德成 蒋陆金 肖敏 冯亚宁 
描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之...
关键词:铂扩散 反向恢复时间 正向压降 漏电流 
IR铂扩散二级管
《电子产品世界》2004年第09B期44-44,共1页
关键词:IR公司 铂扩散工艺 二级管 60APU06 60EPU06 技术规格 
IR具备高阻断电压特性的铂扩散二极管
《电子产品与技术》2004年第5期84-84,共1页
关键词:IR公司 铂扩散 二极管 60APU06 60EPU06 高阻断电压 
IR推出具备高阻断电压特性的铂扩散二极管
《现代电子技术》2004年第10期108-108,共1页
关键词:国际整流器公司 铂扩散工艺 二极管 60APU06 60EPU06 
玻璃钝化硅快恢复整流二极管被引量:3
《半导体技术》1995年第1期53-57,共5页罗文江 
本文对2CN6型玻璃钝化硅快恢复整流二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析,确定了合理的结构参数和先进的工艺流程,选用合适电阻率和厚度的N型硅单晶片,采用磷、硼深扩散,精确控制基区宽度形成P ̄+NN ̄+结构;铂扩散...
关键词:P^+NN^+结构 铂扩散 铝硅 欧姆接触 玻璃钝化 
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