肖敏

作品数：2被引量：8H指数：1
导出分析报告
供职机构：华中科技大学更多>>
发文主题：TVS器件半导体元器件工艺参数工艺参数对更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电力电子技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
工艺参数对TVS器件电性能的影响被引量：8
《电力电子技术》2007年第6期93-95,共3页肖敏 曾祥斌 袁德成 孙树梅 
采用液态源扩散法制备了双向型瞬变电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diode,简称TVS)器件。研究了扩散温度、扩散时间、电阻率、钝化保护等工艺参数对TVS器件电性能的影响。扩散温度、扩散时间的增加将使扩散结的结深增加;...
关键词：半导体元器件 工艺参数/瞬变电压抑制二极管 
铂扩散快恢复二极管特性的研究
《半导体技术》2006年第12期930-934,共5页孙树梅 曾祥斌 袁德成 蒋陆金 肖敏 冯亚宁 
描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之...
关键词：铂扩散 反向恢复时间 正向压降 漏电流 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部