纳米硅薄膜的特点及其制备技术  

作　　者：林鸿溢[1] 武旭辉[1] 

机构地区：[1]北京理工大学电子工程系

出　　处：《半导体技术》1995年第5期54-56,共3页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：作为一项新的半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。

关 键 词：半导体薄膜 纳米硅薄膜 等离子体增强化学气相淀积 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]