武旭辉

作品数：4被引量：25H指数：3
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供职机构：北京航空航天大学更多>>
发文主题：纳米硅薄膜半导体薄膜硅压阻效应硅薄膜更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《材料研究学报》《半导体技术》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟被引量：7
《物理学报》1996年第4期655-660,共6页林鸿溢 武旭辉 何宇亮 褚一鸣 
国家自然科学基金资助的课题.
氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于其具有奇异的结构和独特的性质,而引起广泛的关注.本文在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜....
关键词：纳米 硅 薄膜 生长动力学 
纳米Si薄膜的结构及压阻效应被引量：8
《材料研究学报》1996年第1期33-38,共6页何宇亮 林鸿溢 武旭辉 余明斌 于晓梅 王珩 李冲 
国家自然科学基金
使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术检测了纳米Ｓｉ薄膜的微结构纳米Ｓｉ薄膜由大量的细微Ｓｉ晶粒以及大量的晶粒间界面区组成．这一特殊的结构造成纳米Ｓｉ薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量．本文分析讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用。
关键词：压阻效应 微结构 简支梁法 硅薄膜 纳米硅薄膜 
纳米硅薄膜分形凝聚模型被引量：11
《Journal of Semiconductors》1995年第8期567-573,共7页林鸿溢 余卫武 武旭辉 何宇亮 
国家自然科学基金
从分析纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜生长过程的特点出发，提出与扩散限制凝聚（ＤＬＡ）模型不同的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜分形凝聚模型：扩散与反应限制凝聚（ＤＲＬＡ）模型．获得的结果与实验结果符合得很好．ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜是利用...
关键词：纳米硅薄膜 分形凝聚模型 半导体薄膜 薄膜 
纳米硅薄膜的特点及其制备技术被引量：2
《半导体技术》1995年第5期54-56,共3页林鸿溢 武旭辉 
国家自然科学基金
作为一项新的半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。
关键词：半导体薄膜 纳米硅薄膜 等离子体增强化学气相淀积 
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