余卫武

作品数：1被引量：11H指数：1
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供职机构：北京理工大学更多>>
发文主题：半导体薄膜纳米硅薄膜更多>>
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纳米硅薄膜分形凝聚模型被引量：11
《Journal of Semiconductors》1995年第8期567-573,共7页林鸿溢 余卫武 武旭辉 何宇亮 
国家自然科学基金
从分析纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜生长过程的特点出发，提出与扩散限制凝聚（ＤＬＡ）模型不同的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜分形凝聚模型：扩散与反应限制凝聚（ＤＲＬＡ）模型．获得的结果与实验结果符合得很好．ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜是利用...
关键词：纳米硅薄膜 分形凝聚模型 半导体薄膜 薄膜 
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