电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究  

STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN

作　　者：丁扣宝[1] 张秀淼[1] 石国华[1] 孙勤生[2] 施建青 

机构地区：[1]杭州大学电子工程系,杭州310028 [2]南京大学物理学系,南京210008 [3]浙江技术物理应用研究所,杭州310012

出　　处：《电子科学学刊》1995年第3期334-336,共3页

基　　金：高纯硅国家重点实验室基金

摘　　要：本文研究了电子辐照在氮保护气氛中生长的直拉硅单晶中引入的深能级。没有发现可检测的与氮有关的深能级。The deep levels in electron irradiated CZ silicon single crystal grown in pure nitrogen protective atmosphere has been studied. It is pointed out that there is no measurable deep level related to nitrogen.

关 键 词：电子辐射 微氮直接硅单晶 深能级 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学] TN304.051