孙勤生

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多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型
《固体电子学研究与进展》1996年第4期336-343,共8页赵杰 张安康 魏同立 孙勤生 
采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅...
关键词：深能级瞬态谱 线性陷阱模型 晶粒间界 多晶硅 
电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究
《电子科学学刊》1995年第3期334-336,共3页丁扣宝 张秀淼 石国华 孙勤生 施建青 
高纯硅国家重点实验室基金
本文研究了电子辐照在氮保护气氛中生长的直拉硅单晶中引入的深能级。没有发现可检测的与氮有关的深能级。
关键词：电子辐射 微氮直接硅单晶 深能级 
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