赵杰

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发文主题：多晶硅俄歇电子能谱晶粒间界深能级瞬态谱更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
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多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型
《固体电子学研究与进展》1996年第4期336-343,共8页赵杰 张安康 魏同立 孙勤生 
采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅...
关键词：深能级瞬态谱 线性陷阱模型 晶粒间界 多晶硅 
多晶硅／二氧化硅界面的俄歇谱分析
《固体电子学研究与进展》1996年第3期225-232,共8页赵杰 张安康 魏同立 陈明华 邵建新 成巨龙 
利用扫描俄歇微探针对多晶硅／二氧化硅界面进行分析，发现多晶硅／二氧化硅界面不是突变的，而存在着一个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论，分析了该过渡区产生的原因，并利用＂幸运载流子＂模型，定量分析该过渡区对ＭＯＳ结构热载...
关键词：俄歇电子能谱 超大规模IC 多晶硅 二氧化硅界面 
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