ISFET的设计制造和封装技术  

The Design,Fabrication and PackageTechnology of ISFET

作　　者：唐国洪[1] 陈德英[1] 

机构地区：[1]东南大学

出　　处：《电子器件》1995年第2期110-114,共5页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：本文介绍了ＩＳＦＥＴ（离子敏场效应管）的结构原理、设计考虑、制造工艺和封装技术，提出了背接触封装结构，提高了ＩＳＦＥＴ型ＰＨ传感器的可靠性和使用寿命。The structure design,fabrication and package technology of ISFET are described.Anovel backside contact ISFET-PH senser of higher reliabiliy and longer lifetime is presented incomparison with front contact devices.EEACC:2560R,7230, 320T,0170J,0170N

关 键 词：离子敏场效应管 设计 制造 封装技术 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TN305.94