微波ECR等离子体辅助反应蒸发沉积ITO膜  

ITO Thin Film Deposition by ECR Plasma Enhaced Reactive Evaporation

作　　者：程珊华[1] 宁兆元[1] 薛青[1] 金宗明[1] 高伟建[1] 李育峰[1] 

机构地区：[1]苏州大学物理系薄膜材料实验室,苏州大学分析测试中心

出　　处：《功能材料》1995年第5期405-408,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：江苏省科委;教委自然科学基金

摘　　要：发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体（ＥＣＲ）辅助反应蒸发沉积薄膜的方法，并且使用它成功地在低气压（１０￣（－２）Ｐａ）、低温基片（３０～１００℃）上，不作后处理，直接制备出了附着力强，透光率高于８５％，方阻低于１００Ω／□的ＩＴＯ膜。Conductive and transparent indium tinoxide(ITO)thin films were prepared by an enhacedreactive deDOsition with microwave electron cvclotronresonant plasma。 During deposition low oxygenDressure(10￣(-2)pa)and low substrate temDeratures(30-100℃)were used.The films had goodadhesion,low sheet resistance(<100Ω/□).andhigh optical transmmitance (>85%)。

关 键 词：ITO膜 微波 ECR等离子体 真空蒸发 

分 类 号：TN304.205[电子电信—物理电子学] TN385