利用试验设计方法表征微电路工艺设备  

Characterization of Microcircuit Process Equipment by Design of Experiment

作　　者：游海龙[1,2] 贾新章[1,2] 徐岚[3] 陈光炳[3] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071 [2]宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,重庆400060 [3]模拟集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司第二十四研究所

出　　处：《微电子学》2005年第4期382-385,共4页Microelectronics

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439040103DZ0102)

摘　　要：随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高,许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入,而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应。为了表征设备特性并优化工艺条件,文章利用部分要因试验设计方法安排试验方案,实现了对实际氧化工艺特定设备的表征,建立了氧化膜厚度以及厚度均匀性的工艺模型,可进一步用于工艺条件的优化设计。With the development of microcircuit technology and equipments, many modem semiconductor processes involve 6 or more process inputs, and there also exist more interactions among these inputs. In order to characterize the thermal oxidation equipment, statistical models of oxide film thickness and uniformity are developed using the design of experiment （DOE） technique, and these models can be used to optimize the thermal oxidation process.

关 键 词：试验设计 微电路工艺 工艺模型 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]