先进的等离子增强化学汽相淀积系统  

作　　者：戴永红 

出　　处：《微电子学》1995年第4期52-56,共5页Microelectronics

摘　　要：随着集成电路的制造向着高可靠和微细化方向发展，能低温生长优质薄膜的等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺越来越受到重视。它不仅能满足硅集成电路亚微米级线宽工艺的要求，而且能满足其它电子产品薄膜淀积的要求。本文着重介绍国外一些先进的ＰＥＣＶＤ装置系统。

关 键 词：PECVD IC工艺 等离子 增强 化学汽相淀积 刻蚀 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学]