相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟  

COMPUTER SIMULATION OF EFFECTS OF PHASE-SHIFT MASK ON AERIAL IMAGE INTENSITY PROFILE OF PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERN

作　　者：沈锋[1] 冯伯儒[1] 孙国良[1] 

机构地区：[1]中科院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室

出　　处：《微细加工技术》1995年第1期7-14,共8页Microfabrication Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。In the paper described are principles of improving resolution by use of phaSe-shift mask(PSM),PSMsimulation ideas,matl1ematics and Some initial iesults given by computer simulation.

关 键 词：相移掩模 光刻 计算机模拟 VLSI 集成电路 

分 类 号：TN470.598[电子电信—微电子学与固体电子学]