人工裁剪制备石墨纳米结构  

Fabrication of graphite nano-structures

作　　者：刘首鹏[1] 周锋[1] 金爱子[1] 杨海方[1] 马拥军[1] 李辉[1] 顾长志[1] 吕力[1] 姜博[2] 郑泉水 王胜[3] 彭练矛[3] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080 [2]清华大学力学工程系,北京100084 [3]北京大学电子学系,北京100871

出　　处：《物理学报》2005年第9期4251-4255,共5页Acta Physica Sinica

摘　　要：采用不同的方法裁剪高定向热解石墨(HOPG),制备纳米尺寸的石墨条.首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50nm的纳米石墨图型(nanosizedgraphitepattern,纳米尺寸的多层石墨结构).采用了三种不同的方案制备反应等离子刻蚀过程中需要的掩膜,分别是PECVD生长的SiO2掩膜,磁控溅射的方法生长的SiO2掩膜和PMMA光刻胶掩膜,并将三种方案的刻蚀结果做了对比.Nano-sized graphite patterns were obtained by tailoring graphite sheets using different methods. With focused ion beam etching we are able to produce grooves of minimum width - 30 nm. However, at the edges of the grooves there deposit with Ga-C compound which prevents the easy cleavage of the graphite sheets. With electron beam lithography and reactive ion etching techniques we are able to produce graphite patterns of sizes down to 50 nm. Three different types of masks are tested, and the results are compared and discussed.

关 键 词：高定向热解石墨 聚焦离子束刻蚀 电子束曝光 反应离子刻蚀 热解石墨 纳米结构 制备 裁剪 反应离子刻蚀 聚焦离子束 人工 纳米尺寸 SiO2 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]