Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展  

Research Progress in Etching of Group-Ⅲ Nitride Material

作　　者：马丽娜[1] 郭霞[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《半导体光电》2005年第4期274-279,共6页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"973"计划项目(20000683002);北京市科委重点项目(D0404003040221)

摘　　要：随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究。对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀I、CP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究热点进行了较为深刻的分析。With the development of group-Ⅲ nitride semiconductor material, the etching technique of the pattern on group-Ⅲ nitride materials has been widely investigated. Various group-Ⅲ nitride etching techniques are summarized and compared,including wet etching, RIE and ICP,etc. Recent research hot spot on etching group-Ⅲ nitride material are also discussed.

关 键 词：Ⅲ族氮化物 湿法腐蚀 ICP刻蚀 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]