10 Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片  

10Gb/s 0.18μm CMOS Transceiver IC

作　　者：雷恺[1] 缪瑜[1] 冯军[1] 王志功[1] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,江苏南京210096

出　　处：《半导体光电》2005年第4期350-352,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"863"计划光电子主题项目(2001AA312010)

摘　　要：介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10 Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分。仿真结果表明,在1.8 V电源电压作用下该电路可工作在10 Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2 V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4 V以上,电路功耗约为230 mW。芯片面积为1.77 mm×0.94 mm。The circuit design of a 10 Gb/s transceiver fabricated with 0. 18 μm CMOS technology is introduced, which is included in the multiplexer and laser diode driver. The simulation results show that the circuit can amplify the input signal amplitude from 0.2 V to 1.4 V on a 50 Ω output resistance at 10 Gb/s,with the total power consumption of about 230 mW,and its size is about 1.77 mm×0.94 mm.

关 键 词：激光驱动器 复接器 锁存器 CMOS 直接耦合 SOC 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]