射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究  

Study on Production Technology of PZT Thin Films by RF- Magnetron Sputtering

作　　者：毕振兴[1] 张之圣[1] 胡明[1] 樊攀峰[1] 刘志刚[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系,天津300072

出　　处：《硅酸盐通报》2005年第4期6-9,共4页Bulletin of the Chinese Ceramic Society

摘　　要：在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料。Pb（Zr0.52 Ti0.48）O3（PZT） ferroelectric thin films were prepared on Pt/Ti thin film bottom electrode by RF magnetron sputtering method , followed by a rapid thermal annealing （RTA） process with temperature of 700℃. Testing and analysis show that the PZT thin films are strongly oriented in pervoskite （100） and exhibit dense microstructure. The dielectric constant of the films is as high as 234.O. The electric hysteresis loop shows that coercive field（Ec）, remanent polarization（Pr） and spontaneous polarization（Ps） of PZT thin films are 28.6kV/cm, 18.7μC/cm^2 and 37.5μC/cm^2, respectively.

关 键 词：PZT 直流对靶溅射 射频磁控溅射 锆钛酸铅薄膜 钙钛矿相 电滞回线 射频磁控溅射方法 PZT铁电薄膜 溅射制备 工艺研究 

分 类 号：TN249[电子电信—物理电子学] TB43[一般工业技术]