自旋电子学的研究现状和未来发展趋势  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2005年第9期1-3,共3页Information of Advanced Materials

摘　　要：自旋电子学是目前固体物理和电子学中的一个“热点”，其中心议题是利用和控制固体，尤其是半导体中的自旋自由度。本文主要内容是：1、MBE生长的Ⅲ-Ⅴ族基铁电薄膜和异质结构，2、具有高铁磁转变温度的Mm6掺杂的GaAs／P-A1GaAs异质结及与自旋相关性质的控制，3、Si基自旋电子学。

关 键 词：自旋电子学 发展趋势 现状 固体物理 异质结构 自旋自由度 MBE生长 磁转变温度 铁电薄膜 

分 类 号：TN6[电子电信—电路与系统] O48[理学—固体物理]